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지킹 N 채널 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) 관통 구멍 TO-220AB IRFB4110PBF

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.복합 전문 공급업체9 yrsCN

주요 속성

핵심 산업 사양

모델 번호
IRFB4110PBF

유형
-

유명 상표
Original

포장 유형
-

기타 속성

장착 유형
-

설명
-

원래 장소
China

패키지/케이스
-

유형
-

작용 온도
-

시리즈
-

D/ C
-

신청
-

공급 유형
원래 제조 업체, ODM, 기관

상호 참조
-

品名
-

전압 콜렉터 이미 터 고장 (최대)
-

Vce 포화 (Max) @ Ib, Ic
-

전류 콜렉터 컷오프 (최대)
-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic Vce
-

전원 최대
-

주파수-전환
-

작동 온도
-

마운트 유형
-

저항 (R1)
-

저항 이미터 (R2)
-

FET 유형
-

FET 특징
-

드레인 근원 전압 (Vdss)
-

현재-드레인 (Id) @ 25 °C
-

Rds (Max) @ Id, Vgs
-

Vgs (th) (최대) @ Id
-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
-

주파수
-

현재 등급 (암페어)
-

잡음
-

전원 출력
-

전압-정격
-

드라이브 전압 (최대 Rds, Min Rds)
-

Vgs (최대)
-

IGBT 유형
-

구성
-

Vce () (최대) @ Vge, Ic
-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce
-

입력
-

NTC 서미스터
-

전압 고장 (V (BR) GSS)
-

전류 드레인 (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-

현재 하수구 (Id)-Max
-

전압 컷오프 (VGS 오프) @ Id
-

저항 RDS (On)
-

전압
-

전압-출력
-

전압 오프셋 (Vt)
-

전류 게이트 양극 누설 (Igao)
-

전류 밸리 (Iv)
-

전류-피크
-

응용프로그램
-

트랜지스터 유형
-

제품 이름
IRFB4110PBF

패키지
튜브

제품 상태
액티브

FET 유형
N-채널

기술
MOSFET (금속 산화물)

장착 유형
구멍을 통해

공급 업체 장치 패키지
TO-220AB

패키지/케이스
TO-220-3

기본 제품 번호
IRFB4110

Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250

포장 및 배송

포장 세부정보
ESD/진공/거품/판지

항구
Shenzhen/Hongkong

공급 능력

공급 능력
10000 개 per Week

리드 타임

수량 (개)1 - 100000 > 100000
예상 시간(일)3협의 예정

커스터마이징

Customized logo
최소 주문: 10
Customized packaging
최소 주문: 10
Graphic customization
최소 주문: 10

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