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Kunden spezifische Größe 2 ~ 12 Zoll N-Typ Prime Grade Einkristall Gallium Arsenid GaAs Wafer
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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.
3 yrs
CN
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Hauptmerkmale
Andere Merkmale
Ursprungsort
Shanghai
Markenname
Xinkehui
Modellnummer
customized
Art
GaAs Wafer
Doped
p-type: Zn/n-type: Si
Surface Orientation
(100)±0.5°
Growth Method
Growth Method
Wafer Shape
round customized size
Thickness
350±25/625±25 um or customized
TTV [P/P]
≤ 4 um
TTV [P/E]
≤ 10 um
WARP
≤ 10 um
Verpackung und Lieferung
Details zur Verpackung
100 grade cleaning bag
Hafen
Shanghai
Lieferfähigkeit
Lieferfähigkeit
10000 Stück/Stücke per Week
Mehr anzeigen
Beschaffungszeit
Menge (Stück)
1 - 1000
> 1000
Vsl. Dauer (Tage)
15
Zu verhandeln
1 - 9 Stück
285,00 $
>= 10 Stück
128,00 $
Ausführungen
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